太阳成集团tyc7111cc(中国)官方网站 NO.1

降低损耗,提升功率密度和效率
在车载充电机OBC中,碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)可以被用作IGBT(绝缘栅双极性晶体管)和MOSFET器件的替代品。此外,碳化硅MOSFET还可以用在高频谐振拓扑设计中,以在滤波器中降低损耗、提高功率密度和效率。因此,使用碳化硅功率器件可以使车载充电机OBC更高效、更小型化和更可靠,从而大大提高了电动汽车的充电体验和使用成本。
应用优势
1. 更高的工作温度:碳化硅功率器件具有更高的耐热性能,能够承受更高的工作温度。这对于车载充电机OBC来说非常重要,因为充电过程中会产生一定的热量,碳化硅器件能够更好地应对高温环境,提高系统的可靠性和寿命。
2. 更快的开关速度:碳化硅器件的开关速度比传统的硅功率器件更快,能够实现更高的开关频率。这意味着车载充电机OBC能够更有效地控制电流和电压,减少功率损耗和电磁干扰,提高系统的响应速度和转换效率。
3. 较低的导通电阻:碳化硅器件具有较低的导通电阻,能够降低开关器件的功率损耗。这对于车载充电机OBC来说尤为重要,因为它能够减少热损耗并提高能量转换效率,从而减少能源消耗和充电时间。
4. 更高的耐压能力:碳化硅器件能够承受更高的电压,提供更大的设计余量和稳定性,使车载充电机OBC在不同的工作条件下仍能正常运行,增加系统的稳定性和安全性。
工具与支持
联系我们 >
知识中心
了解更多
了解产品详情
联系我们
联系我们
器件购买
代理商合作
代理商合作
商务合作
电子邮箱
电子邮箱