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碳化硅功率器件的加入,能够起到降本增效的作用
SiC MOSFET或IGBT+SiC SBD模组的光伏逆变器能将转换效率提升至96%以上,能量损耗可降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。对于100kW的太阳能逆变器,其平均需要30-50颗SiC器件。在组串式和集中式光伏逆变器中,碳化硅产品预计会逐渐替代硅基器件,因而高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆变器的未来发展趋势。
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